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蒸发镀膜
通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法较早由M.法拉*于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。
蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽**真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。
蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质
电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质；③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。
喷射炉中装有分子束源，在**高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种**晶格结构薄膜。

SBR及其改进型

SBR法是序列间歇式活性污泥法的简称，是一种按间歇曝气方式来运行的活性污泥水处理技术，又称序批示活性污泥法。

SBR污水处理技术及其改进型与传统污水处理技术是不相同的。其采用的是时间分割操作替代空间分割操作，非稳态生化反应替代稳态生化反应，静置理想沉淀代替动态沉淀等。它在运行上实现了有序和间歇操作相结合。SBR法是在单一的反应池内进行活性污泥处理工艺，并使污水处理的单元操作及时间的形式连续的进行处理的方法。

SBR反应池内设有隔墙，将反应池分成预反应区和主反应区，墙的底部有孔相通。每一个周期的进水、反应、沉淀、滗水和闲置五道工序都在同一池内周而复始的进行，SBR工艺与其他处理工艺相比，SBR工艺使污水处理构筑物大大简化。

a、曝气期由于曝气系统向反应池供氧，**污染物被微生物氧化分解，同时NH3-N通过硝化细菌转化为NO3-N。

b、沉淀期停止曝气，进行泥水分离，同时微生物利用水中的剩余溶解氧进行氧化分解，反应池逐渐由好氧状态向缺氧状态转化，开始进行反硝化反应。

c、滗水期沉淀结束后进行滗水排出上清液，池中水位逐步下降，此时反应池逐步过渡到厌氧状态，继续进行反硝化。

d、闲置期闲置期内池中水位由较低水位上升到较高水位。

SBR工艺及其改进型与传统活性污泥法相比，具有如下特点：

a、工艺流程简单，省去出沉淀、二沉池、污泥回流及污泥回流设备。

b、占地面积省，比普通曝气法省20%-30%。

c、运行费用省，自动化控制程度高，管理方便。氧的吸收率高，运行费用省25%。

d、处理效率高，运行稳定性可靠，耐负荷冲击能力强，出水水质好。

e、脱氮除磷效果好。

f、污泥沉降性好。